▲ 왼쪽부터 삼성전자 경계현 대표이사, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 출하식에서 기념 촬영을 하고 있다  © 사건의내막

[사건의내막/ 박연파 기자] = 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA (Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.

이날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS 부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.

삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다’란 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라 총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술 개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

이어 삼성전자 DS 부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원들을 격려하며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

산업통상자원부 이창양 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”고 당부하며 “정부도 지난주 발표한 반도체 초강대국 달성 전략을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.

행사에 참석한 국내 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표이사는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다”며 “앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔다.

또한 국내 팹리스 업체 텔레칩스 이장규 대표이사는 “텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다”며 “삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다”고 말했다.

한편 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택 캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

대덕전자 김영재 대표이사, 동진쎄미켐 이준혁 대표이사, 솔브레인 정혁석 대표이사, 원세미콘 김창현 대표이사, 원익IPS 이현덕 대표이사, 피에스케이 이경일 대표이사, 케이씨텍 고상걸 부회장, 텔레칩스 이장규 대표이사

penfree1@hanmail.net

*아래는 위 기사를?'구글 번역'으로 번역한 영문 기사의?[전문]입니다. '구글번역'은 이해도 높이기를 위해 노력하고 있습니다. 영문 번역에 오류가 있을 수 있음을 전제로 합니다.<*The following is [the full text] of the English article translated by 'Google Translate'. 'Google Translate' is working hard to improve understanding. It is assumed that there may be errors in the English translation.>

Samsung Electronics Holds 3 Nano Foundry Mass Production Shipment Ceremony

Strengthening business competitiveness through mass production of 3nm GAA process and preemptive foundry technology

[Introduction to the incident/ Reporter Park Yeon-pa] = Samsung Electronics announced on the 25th that it held a shipping ceremony for 3nm foundry products using next-generation transistor GAA (Gate All Around) technology at the V1 line (EUV only) at Hwaseong Campus, Gyeonggi-do.

The event was attended by more than 100 people including Minister of Trade, Industry and Energy Changyang Lee, suppliers, fabless, Samsung Electronics DS division head, Kyeong-hyeon Kye (President) and executives and employees, encouraging executives and employees who participated in 3nm GAA R&D and mass production.

Samsung Electronics' Foundry Division expressed its ambition to strengthen its business competitiveness through mass production of the 3-nano GAA process and preemptive foundry technology, along with the confidence that it will "go toward the world's best with innovative technology."

From development to mass production, Vice President Jeong Ki-tae, head of the technology development department of Samsung Electronics’ Foundry Division, emphasized that the technology development limitations were overcome through collaboration beyond business divisions such as the foundry division, semiconductor research center, and global manufacturing & infrastructure management through a technology development progress report. explained the process of

Next, Samsung Electronics DS division head Gye-Hyun Kye, CEO of Samsung Electronics, said, “Samsung Electronics made a mark in the foundry business with this product mass production.” He encouraged employees and said, “We are committed to the early development of GAA technology, which will be a new alternative when FinFET transistors reach their technological limits. Success is an innovative result of creating something from nothing.”

Minister Lee Chang-yang of the Ministry of Trade, Industry and Energy expressed his gratitude for the hard work of Samsung Electronics' employees and the semiconductor industry in his congratulatory remarks and asked "Samsung Electronics, the system semiconductor industry, and the general manager industry should join forces to stay ahead in the fierce competition for microprocessing." Based on the strategy to achieve a semiconductor superpower announced last week, the government will spare no effort in supporting private investment, nurturing human resources, developing technology, and building an ecosystem for sub-managers.”

Samsung Electronics started researching the structure of GAA transistors in the early 2000s, and applied it to the 3nm process in 2017, and announced the world's first mass production of the 3nm process with GAA technology last month.

Samsung Electronics applied the 3-nm GAA process to high-performance computing (HPC) for the first time and is working with major customers to expand its application to various product groups including mobile SoC products.

Wonik IPS CEO Lee Hyun-duk, who attended the event, said, “We are preparing for mass production of the 3-nano GAA foundry process together with Samsung Electronics, and the capabilities of Wonik IPS employees have been further strengthened.” We will do our best with Samsung Electronics.”

In addition, Lee Jang-gyu, CEO of Telechips, a domestic fabless company, said, “Telechips has high expectations for future product designs using Samsung Electronics’ ultra-fine processes. We are providing various support measures to broaden the scope of product design.”

Meanwhile, Samsung Electronics started mass production of 3-nano GAA foundry process products at the Hwaseong Campus, and plans to expand it to the Pyeongtaek campus in the future.

Daedeok Electronics CEO Kim Young-jae, Dongjin Semichem CEO Lee Jun-hyeok, Soulbrain CEO Jeong Hyuk-seok, Won Semicon CEO Kim Chang-hyun, Wonik IPS CEO Lee Hyun-duk, PSK CEO Lee Kyung-il, KC Tech Vice Chairman Koh Sang-geol, Telechips CEO Jang-gyu Lee

penfree1@hanmail.net